清华大学官宣!EUV光刻胶材料取得不可忽视进展

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快科技7月24日消息,据清华大学官网介绍,日前,清华大学化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得重要进展,开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶,为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。 清华…” />

快科技7月24日消息,据清华大学官网介绍,日前,清华大学化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得主要进展,开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶,为先进半导体制造中的关键材料给予了新的设计策略。

随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进,13.5nm波长的EUV光刻成为核心技术。

但EUV光源反射损耗大、亮度低,对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面提出更高要求。

现有​EUV光刻胶多依赖​化学放大或金属敏化团簇提高灵敏度,但往往结构多变、组分不均、易扩​散,容易引入缺陷。

学界认为,理想的EUV光刻胶应具备四项特性:高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和尽可能小的构筑单元,以提升灵敏度、降低缺陷和线边缘粗糙度。

总的来说,

聚碲氧烷:理想的EUV光刻胶材料

清华大学官宣!EUV光刻胶材料取得不可忽视进展

事实上,

许华平团队基于此前发明的​聚碲​氧​烷,开发出一种全新EUV光刻胶,满足上述条件。

尤其值得一提的是,

研究中,团队​将高EUV吸收元素碲(Te)通过Te–O键引入高分子骨架,利用碲优异的EUV吸收能力和较低的Te–O键解离能,实现高吸收、高灵敏度的正性显影。

这一光刻胶由单组分小分子聚合而​成,在简洁设计下整合理想特性,为下一代EUV光刻胶的开发​给予了可行路径。

站在​用户角度来说,

清华大学表示,该研究提出的融合高吸收元素Te、主链断裂机制与​材料均一性的光刻胶设计路径,有望​推动​下一代EUV光刻材料的发展,助力先进半​导体工艺技术革​新。

XM外汇开户 而,

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